本报讯（记者 万红）6月30日，记者从天津经开区了解到，日前，由南开大学电光学院科研团队孵化的薄膜型锑化铟霍尔元件芯片项目正式落地天津经开区泰达微电子创新产业园。项目运营主体天津同芯半导体有限公司将深耕高端霍尔芯片国产化研发与量产，补齐国内细分领域技术、产品和产能短板，为区域半导体产业集群再添细分赛道核心力量。

薄膜型锑化铟霍尔元件广泛应用于新能源汽车、机器人、智能装备等关键领域，作为传感核心功能芯片，国内市场长期高度依赖进口。

本次落地的项目为南开大学电光学院前沿科研成果，计划总投资3000万元，规划分3期梯次布局3条薄膜型锑化铟霍尔元件芯片产线。该产线拥有全套自主知识产权，囊括了核心薄膜制备及芯片成型工艺等技术，实现完全自主可控。目前，项目多款关键生产设备已由团队自主研发并实现产业化验证，其中部分设备为国内首台套，彻底打破海外技术、设备双重壁垒。项目全面投产后，产品可直接对标、替代日韩进口霍尔芯片，积极保障国内产业链供应链稳定安全。